多孔硅的热氧化与光致发光  

作　　者：李经建[1] 朱涛[1] 刘忠范[1] 蔡生民[1] 王昕[2] 张树霖[2] 

机构地区：[1]北京大学化学与分子工程学院光电智能材料研究室,北京100871 [2]北京大学物理系,北京100871

出　　处：《科学通报》1995年第14期1282-1285,共4页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家自然科学基金资助项目

摘　　要：多孔硅的室温可见光发射现象报道迄今已3年有余,Canham和Lehamm分别提出了光发射的量子限制模型,来解释多孔硅的光致发光现象.我们前期工作中发现的多孔硅的荧光峰值能量随HF酸浓度变化的“台阶”行为,有力地支持了量子限制模型.但对于荧光强度的变化和一些与表面后处理有关的实验事实,仅用量子限制模型则不能给出令人满意的回答.关于多孔硅光致发光的机制仍是一个争论的问题.

关 键 词：多孔硅 热氧化 光致发光 

分 类 号：TN204[电子电信—物理电子学]