多孔硅的双峰光致发光谱与光发射机制  

作　　者：张树霖[1] 何国山 黄福敏 杨昌黎 李经建 刁鹏[3] 刘忠范[3] 蔡生民[3] 

机构地区：[1]北京大学物理系,北京100871 [2]复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433 [3]北京大学化学系光电智能材料研究室,北京100871

出　　处：《科学通报》1995年第18期1644-1647,共4页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家自然科学基金资助项目

摘　　要：多孔硅的光致发光谱是多孔硅研究的极其重要的一个方面,除了早已广泛研究的单峰光致发光谱外,近来有人报道新制备的或经干氧处理的多孔硅在低温下明显存在多峰光致发光谱,本文将报道室温下在后处理多孔硅中观察到的双峰光致发光谱,并讨论后处理条件对光谱特征的影响,这种讨论对多孔硅可见光发射机制的探索提供了十分有价值的启示.多孔硅样品用电化学阳极氧化方法制备.样品衬底是P^-(100)单晶硅片。

关 键 词：多孔硅 光致发光谱 光发射机制 

分 类 号：TN204[电子电信—物理电子学]