1.5μm InGaAsP/InP P型衬底隐埋新月型(PBC)结构激光器  

1.5μm InGaAsP/InP P Substrate Buried Crescent (PBC) Lasers

作　　者：彭怀德[1] 马朝华[1] 汪孝杰[1] 张盛廉[1] 吕卉[1] 王丽明[1] 武淑珍 马骁宇[1] 张洪琴[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所

出　　处：《Journal of Semiconductors》1989年第2期143-145,共3页半导体学报（英文版）

摘　　要：本文简要报道了P型衬底1.5μm隐埋新月型激光器的制备和特性,激光器在室温下连续工作的典型阈值电流为20mA低的为15mA,发射波长为1.53μm,最高连续工作温度105℃.The fabrication and characteristics of 1.5 μm PBC laser diodes are presented.The thre-shold current of the diode is typically 20 mA, and it can be as low as 15 mA for some laserdiodes The maximum lasing temperature is 105℃.

关 键 词：激光器 1.5μm PBC 新月型 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]