In-Ga合金源汽相外延生长In_xGa_(1-x)As体系的热力学分析  

Thermodynamic Study of Vapor Phase Epitaxy of In_xGa_(1-x)As Using An In-Ga Alloy Source

作　　者：徐宝琨[1] 李钟华[1] 宋利珠 赵慕愚[1] 

机构地区：[1]吉林大学电子科学系

出　　处：《Journal of Semiconductors》1989年第4期301-308,共8页半导体学报（英文版）

摘　　要：本文采用独立组元法对In-Ga合金源汽相外延生长In_xGa_(1-x)As体系的平衡状态作了热力学计算和分析,所得结果对认识该体系外延生长的规律性及改进工艺条件有一定参考价值.The vapor phase epitaxy of In_xGa_(1-x)As using an In-Ga alloy source has been studiedthermodynamically.Some useful conclusions for the technology have been obtained from thecalculations.

关 键 词：热力学计算 气相外延 铟镓砷 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]