一种1．3GHz硅双模预置分频器  

A 1.3GHz Silicon Dual-Modulus Prescaler IC

作　　者：王永禄[1] 

机构地区：[1]四川重庆电子工业部第24研究所

出　　处：《微电子学》1995年第3期5-9,13,共6页Microelectronics

摘　　要：本文介绍了一种硅双模预置分频器（÷４０／４２）的电路原理、电路设计、版图设计、工艺技术及研制结果。采用３μｍ设计规则的硅双极型ｐｎ结对通隔离工艺、薄层外延和泡发射极等ＥＣＬ高速电路制作技术，双模预置分频器最高工作频率在－５５℃～＋１２５℃环境温度范围内达１３００ＭＨｚ以上，并且具有输入动态范围大、电源电压宽等特点。A silicon dual-modulus prescalar IC(÷40/42)is described in regard to its principle,the circuit and layout design and the process technology,The device is fabricated using 3-μm Sibipolar process. A maximum operating frequency of 1300MHz has been obtained at -55℃～+125℃,It features a large input dynamic range and wide supply voltage range.

关 键 词：ECL 触发器 预置分频器 硅双极工艺 

分 类 号：TN772[电子电信—电路与系统] TN783