半导体硅材料进展  

作　　者：宋大有 

机构地区：[1]上海有色金属研究所,201600

出　　处：《稀有金属》1995年第1期62-68,78,共8页Chinese Journal of Rare Metals

摘　　要：综述了国内外硅材料研究动态,分析了电子工业的发展对硅材料的新要求;讨论了硅单晶大直径化、磁场拉晶、连续投料拉晶、粒状多晶等工艺问题及硅材料的市场行情;展望了半导体硅材料的发展前景。

关 键 词：硅 单晶 粒状多晶 磁场拉晶 半 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]