激光辐照PC型HgCdTe探测器热效应的计算  

Heat Effect Calculations of PC Type HgCdTe Detectors when Irradiated by Laser

作　　者：蒋志平[1] 梁天骄[1] 陆启生[1] 刘泽金[1] 

机构地区：[1]国防科技大学应用物理系

出　　处：《应用激光》1995年第4期155-156,共2页Applied Laser

基　　金：国家高技术激光技术领域资助

摘　　要：通过测量ＰＣ型ＨｇＣｄＴｅ探测器电阻与温度的关系及激光辐照下电阻随时间的变化，建立了热模型，计算了三种损伤机制下的激光损伤阈值。The heat model of laser irradiated PC type HgCdTe detectors is built by the help of measuring the resistance-temperature relation and the time variation of resistance when laser irradiated. The laser damage thresholds under three damage mechanisms are calculated.

关 键 词：激光损伤 辐照 汞 镉 碲 探测器 热效应 计算 

分 类 号：TN241[电子电信—物理电子学]