用于永久性存贮器Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3薄膜的特性  

作　　者：许宇庆[1] 陶向明[1] 叶高翔[1] 葛洪良[1] 张其瑞[1] 

机构地区：[1]浙江大学物理系,杭州310027

出　　处：《真空科学与技术》1995年第2期140-144,共5页Vacuum Science and Technology

基　　金：国家自然科学基金!69201006;浙江省自然科学基金!192056

摘　　要：用磁控射频溅射方法制备了Pb（Zr0．52Ti0.48）O3薄膜。研究了制膜工艺对Pb（Zr0．52Ti0．48）O3薄膜相、结晶性和铁电特性的影响。实验表明，所制备的薄膜表面致密、光滑。此Pb（Zr0.52Ti0.48）O3薄膜以钙钛矿结构为主，并具有较高的剩余极化、饱和极化和较小的矫顽场。从实验结果分析得，通过控制工艺条件所制得的单相钙钛矿型的Pb（Zr0.52Ti0.48）O3薄膜的铁电特性得到很大提高。并制备出用于永久性存贮器的优质Pb（Zr0.52Ti0.48）O3薄膜。

关 键 词：铁电 薄膜 贮存器 

分 类 号：TN304.9[电子电信—物理电子学] TN304.055