In∶Ce∶Mn∶LiNbO_3晶体的全息存储性能(英文)  

HOLOGRAPHIC STORAGE PROPERTIES OF In : Ce: Mn: LiNbO_3 CRYSTALS

作　　者：杨春晖[1] 许艳波[1] 王锐[1] 徐玉恒[1] 

机构地区：[1]哈尔滨工业大学应用化学系,哈尔滨150001

出　　处：《硅酸盐学报》2005年第8期939-941,共3页Journal of The Chinese Ceramic Society

基　　金：国家自然科学基金(E50202005)资助项目;黑龙江省科技攻关项目。

摘　　要：原料采用固液同成分配比,在LiNbO3(LN)晶体中掺入质量分数为0.1%CeO2和0.015%MnCO3,摩尔分数分别为0,1%,2%和3%的In,用提拉法生长In:Ce:Mn:LN晶体。测试了In:Ce:Mn:LN晶体的红外透射光谱和抗光损伤能力。结果表明:3%In:Ce:Mn:LN晶体的OH-振动吸收峰紫移到3508cm-1位置;其抗光损伤能力比Ce:Mn:LiNbO3晶体提高2个数量级以上。利用二波耦合光路测试晶体的写人时间(τw)、擦除时间(τe)和衍射效率(η),计算晶体的动态范围(M#),研究In3+掺量对Ce:Mn:LN晶体光折变性能的影响。结果表明:In:Ce:Mn:LN晶体是比Ce:Mn:LN晶体综合性能更好的全息存储材料。In： Ce： Mn ： LiNbO3（LN） crystals with the addition of 0,1%,2%,or 3% In （in mole） were grown by the Czochralski method from congruent melting, with the CeO2 and MnCO3 contents of 0.1% and 0. 015% in mass respectively. The infrared spectra and the photo-damage resistance of the In ： Ce ： Mn ： LN crystal were tested. The results show that the OH^- vibration absorption peak of the 3% In ： Ce ： Mn ： LN crystal purple shifted to the 3 508 cm^-1 position; its photo-damage re- sistance is over two orders of magnitude higher than that of the Ce ： Mn ： LN crystal. The diffraction efficiency （η）, writing time （τw） and erasure time （τc） were measured with a two-wave coupling experiment. The dynamic range （M^# ） was calculated for the first time. The effect of different In^3＋ doping levels on the photorefractive properties of In ： Ce ： Mn = LiNbO3 crystals were investigated. The results show that the overall properties of the In ： Ce ： Mn ： LN crystal make it a better holographic storage material than the Ce ： Mn ： LN crystal.

关 键 词：铟 铈和锰共掺杂钝酸锂晶体 提拉法晶体生长 全息存储 

分 类 号：O742.9[理学—晶体学]