三萘基膦在Ag(110)面上沉积的紫外光电子能谱研究  

UPS study of tri(β-naphthyl) phosphine overlayer on Ag(110)

作　　者：陆赟豪[1] 段效邦[2] 吕萍[2] 张寒洁[1] 李海洋[1] 鲍世宁[1] 何丕模[1] 

机构地区：[1]浙江大学物理系,杭州310027 [2]浙江大学化学系,杭州310027

出　　处：《物理学报》2005年第9期4319-4323,共5页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金(批准号:10274072;20374045);高校博士点专项科研基金(批准号:20030335017)资助的课题.~~

摘　　要：利用紫外光电子能谱(UPS)对新型有机半导体三萘基膦(TNP)在金属Ag(110)表面上沉积生长及其电子性质等进行了研究.三萘基膦的价带谱峰分别位于费米能级以下3.8,6.3,9.3和11.0eV处,其中,价带顶(HOS)位于费米能级以下约2.5eV处.清洁Ag(110)表面的功函数为4.3eV.随着三萘基膦在Ag(110)表面的沉积,功函数减小到3.8eV,并达到饱和.根据UPS的测量结果,给出了三萘基膦Ag(110)界面的能带结构,且三萘基膦与衬底Ag之间呈弱相互作用行为.Ultraviolet photoelectron spectroscopic（UPS） measurements of the tri （β-naphthyl） phosphine （TNP） film deposited on the Ag（110） surface were made. The TNP derived valence features are located at 3.8,6.3,9.3and 11.0 eV below Fermi level, and the top of the highest occupied molecular orbital（HOMO） of TNP is located at 2.5 eV in binding energy, The work function of Ag（110） is about 4.3 eV, and upon deposition of TNP, the work function decreases to the saturated value of 3.8 eV. Based on the UPS measurements, the energy level alignment at the interface of TNP/Ag（110） is given, and the results indicate a weak interaction between TNP and the Ag substrate.

关 键 词：紫外光电子谱 价电子结构 功函数 紫外光电子能谱 萘基 沉积 膦 费米能级 有机半导体 弱相互作用 电子性质 能带结构 

分 类 号：O582[理学—物理]