碳化硅纳米线的形貌和微结构TEM表征  

Morphological and micro-structural features of SiC nano-wires studied by TEM

作　　者：张跃飞[1] 韩晓东[1] 郑坤[1] 张泽[1] 郝雅娟[2] 郭向云[2] 

机构地区：[1]北京工业大学固体微结构研究所,北京100022 [2]中国科学院山西煤炭化学研究所,国家煤炭转化重点实验室,山西太原030001

出　　处：《电子显微学报》2005年第4期257-257,共1页Journal of Chinese Electron Microscopy Society

关 键 词：硅纳米线 TEM表征 微结构 集成电子器件 形貌 碳化 复合材料 力学性能 化学稳定性 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]