SnO_2纳米线阵列的制备及纳米器件的制作  被引量:5

Fabrication of highly ordered SnO_2 nanowire arrays and nanodevice

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作  者:徐伟宏[1] 李凡 黄家锐 陈星 田超[2] 张鑫[2] 刘锦淮[1] 

机构地区:[1]中国科学院合肥智能机械研究所中国科学院研究生院,安徽合肥230031 [2]安徽农业大学理学院,安徽合肥230036

出  处:《安徽大学学报(自然科学版)》2005年第5期75-78,91,共5页Journal of Anhui University(Natural Science Edition)

基  金:国家自然科学基金资助项目(60274049)

摘  要:采用简单的溶胶-凝胶方法在多孔阳极氧化铝模板(AAM)的微孔中制备了高度有序的SnO2纳米线阵列。XRD,SEM和TEM对样品进行了结构和形貌的表征,结果表明,高度有序的SnO2纳米线具有四方相的多晶结构,纳米线连续均匀;并对SnO2纳米线阵列的生长机理进行了探讨;最后用聚焦离子束沉积设备制作了单根SnO2纳米线器件。Highly ordered SnO2 nanowire arrays embedded in anodic alumina membranes(AAM) have been successfully fabricated by simple Sol -gel method, first SnO2 colloidal suspensions being filled in the pores of AAM ,then annealed at 600℃ for 10h. SEM and TEM images show that SnO2 nanowires are dense, continuous, uniform diameter and arranged parallelly to another; XRD and SAED analysis together indicate SnO2 nanowires crystallize with a polycrystalline tetragonal structure;then the growth mechanism of SnO2 nanowire arrays is discussed. In the end, nanodevice of a single SnO2 nanowire between two pt leads is fabricated by focused ion beam deposition (FIB).

关 键 词:溶胶-凝胶方法 氧化铝模板 SnO2纳米线阵列 

分 类 号:O614.432[理学—无机化学]

 

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