一种硅基谐振型压力传感器技术研究  

Research of a Silicon Resonance Pressure Sensor Technology

作　　者：张正元[1] 徐世六[1] 税国华[1] 曾莉[1] 刘玉奎[1] 

机构地区：[1]模拟集成电路国家重点实验、室中国电子科技集团公司、第二十四研究所,重庆400060

出　　处：《纳米科技》2005年第4期21-24,共4页

摘　　要：文章利用硅／硅键合、减薄抛光和IC工艺技术，开展硅基谐振型压力传感器技术研究，解决了三维体加工与IC工艺兼容的关键技术问题，成功地研制出一种硅基谐振型压力传感器样品，在常压下测试其Q值达到400，进一步参数测试还在进行中。The research of resonance pressure sensor technology has been done by used silicon/silicon bonding, grinding and IC process, the compatible technology problems of three-dimension bulk manufacturing and planar IC process have been resolved. The silicon resonance pressure sensor is obtained, and the Q of it is 400 at atmosphere, the other measurements are under the way.

关 键 词：硅/硅键合 减薄抛光 三维体加工 谐振型压力传感器 

分 类 号：TP212[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]