Fabrication and Simulation of an AlGaAs/GaAs Ultra-Thin Base NDR HBT  

AlGaAs/GaAs超薄基区负阻HBT的研制与模拟(英文)

作　　者：齐海涛[1] 张世林[1] 郭维廉[1] 梁惠来[1] 毛陆虹[1] 

机构地区：[1]天津大学电子信息工程学院,天津300072

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第8期1495-1499,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展计划资助项目(批准号:2002CB311905)~~

摘　　要：A novel mesa ultra-thin base AlGaAs/GaAs HBT is designed and fabricated with wet chemical selective etch technique and monitor electrode technique. It has a particular and obvious voltage-controlled NDR whose PVCR is larger than 120. By use of device simulation,the cause of NDR is that increasing collector voltage makes the ultrathin base reach through and the device transforms from a bipolar state to a bulk barrier state. In addition, the simulated cutoff frequency is about 60-80GHz.利用化学湿法选择技术和监控电极技术设计并研制了一种新型台面结构超薄基区AlGaAs／GaAs负阻异质结双极晶体管，该器件具有独特且显著的电压控制型负阻特性，其峰谷比可高于120．通过器件模拟分析，解释了该器件产生负阻的原因，即不断增加的集电极电压致使超薄基区穿通，器件由双极管工作状态向体势垒管工作状态转化造成的．另外，模拟结果表明器件可能具有较高频率特性（fT约为60～80GHz）．

关 键 词：HBT ultra-thin base device simulation voltage-controlled NDR PVCR 

分 类 号：TN321[电子电信—物理电子学]