蓝宝石衬底上AlGaN/GaN HEMT自热效应研究  

Study of Self-heating on AlGaN/GaN HEMTs Grown on Sapphire Substrate

作　　者：杨燕[1] 郝跃[2] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子所,西安710071 [2]宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071

出　　处：《固体电子学研究与进展》2005年第3期290-293,共4页Research & Progress of SSE

基　　金：国家重大基础研究(973)项目;预先研究项目支持研究项目(批准号:41308060106)

摘　　要：建立了包含“自热效应”的A lG aN/G aN HEM T(高电子迁移率晶体管)直流I-V特性解析模型。从理论的角度分析了自热效应对A lG aN/G aN HEM T器件的影响,并同已有的实验结果进行了对比,符合较好。证明基于这种模型的理论分析适于A lG aN/G aN HEM T器件测试及应用的实际情况。An physical-based analytical model for the dc I-V characteristics of A1GaN/GaN high electron mobility transistors （HEMTs） is presented. The impact of self-heating effect on AlGaN/GaN HEMTs grown on sapphire substrate is analyzed in detail. The comparison between simulations and physical measurements shows a good agreement, therefore the theory analysis based on the model is suitable for the real actions of AlGaN/GaN HEMTs.

关 键 词：氮镓铝/氮化镓 高电子迁移率晶体管 自热效应 

分 类 号：TN325.3[电子电信—物理电子学]