非定向氧化锌纳米线阵列的场发射  

Field Emission from a Non-Aligned ZnO Nanowire Array

作　　者：陈亮[1] 张耿民[1] 王鸣生[1] 

机构地区：[1]北京大学信息科学技术学院电子学系,北京100871

出　　处：《北京大学学报（自然科学版）》2005年第5期774-779,共6页Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis

基　　金：国家自然科学基金(60471008;60171025;60128101);国家973项目(2001CB610503)资助

摘　　要：使用热蒸发的方法在硅基底上制备了非定向氧化锌(ZnO)单晶纳米线阵列。经过热蒸发之后,在硅基底上形成一层均匀分布的ZnO点。在这些ZnO点上生长出非定向的ZnO纳米线阵列,其中的纳米线直径大约在10到20nm之间。考虑到实用,在制备样品的过程中硅基底的温度始终保持在500℃以下。然后测量了这些非定向ZnO纳米线阵列的场发射特性。在5.5V·μm-1场强下得到了10μA·cm-2的场发射电流密度;同时使用透明阳极技术观察了其场发射中心的分布。An array of non-aligned monocrystalline zinc oxide nanowires （ZnO NWs） is fabricated on a silicon substrate by thermal evaporation. The non-aligned ZnO NWs in the array are approximately 10 - 20 nm in diameter. During the fabrication, the temperature around the substrate is lower 500℃, which is conducive to practical application. Field emission is available from these ZnO NWs.The electric field that extracts 10μA·cm^-2 current density is measured to be 5.5 V·μm^-1 . Moreover, the emission site distribution （ESD） is also studied and the field emission is found from the whole sample surface, suggesting that the screen effect is almost avoided.

关 键 词：氧化锌纳米线 场发射 场发射中心分布 屏蔽效应 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]