高频离子源物理参数对离子束性能的影响  

Effects of Physical Factors of RF Ion Source on Quality of Ion Beam

作　　者：孙振武[1] 郑世全[1] 李涛[1] 姜胜南[1] 李玉晓[1] 刘柱华[2] 霍裕平[1] 

机构地区：[1]郑州大学物理工程学院,郑州450052 [2]中国科学院高能物理研究所,北京100080

出　　处：《四川大学学报（自然科学版）》2005年第5期974-977,共4页Journal of Sichuan University(Natural Science Edition)

摘　　要：作者从静电加速器用高频离子源的结构出发,通过实验台上的调试,测试并分析了振荡器板压、气压和引出电压对离子束性能的影响.结果表明,在575 V板压、7.7×10-4Pa气压、1.6 kV引出电压和21 kV聚焦电压的状态下,可得到束流为169μA、质子比为88%的稳定离子束.The structure of RF ion source is introduced and is debugged on experimental platform. The influence of plate voltage of the oscillator, gas pressure and extraction voltage on the quality of ion beam is determined and analyzed. A stable ion beam of 169μA intensity and 88% proton ratio is obtained under the condition of 575 V plate voltage, 7.7×10^-4 Pa gas pressure, 1.6kV extraction voltage and 21kV focusing voltage.

关 键 词：静电加速器 离子束 离子源 束流 振荡器 

分 类 号：TL503.4[核科学技术—核技术及应用]