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作 者:孙光爱[1] 陈波[1] 杜红林[2] 樊志剑[1] 高涛[3] 齐新华[3]
机构地区:[1]中国工程物理研究院核物理与化学研究所,绵阳621900 [2]北京大学物理学院,北京100871 [3]四川大学原子与分子物理研究所,成都610065
出 处:《中国科学(G辑)》2005年第5期513-520,共8页
基 金:中国工程物理研究院科学技术基金资助项目(批准号:20040863)
摘 要:介绍了新近发展的基于密度泛函理论的全势能线性缀加平面波((L)APW)+局域轨道(lo)方法,并对R(Fe,si)12化合物(R=YNd)作了理论计算.由结构优化后的单胞总能量分析了Si原子的占位分布,计算得到并分析了Si原子替代晶位不同引起的原子磁矩、总态密度和局域态密度的变化特点.结果表明RFe10Si2化合物(R=Y,Nd)饱和磁矩明显大于同类RFe10M2化合物(M=Ti,v,Cr,Mn,Mo和w),Si原子在化合物中存在两种杂化机制,Si(8j)原子会同时减小3种晶位Fe原子磁矩,Si(8f)则主要减小Fe(8i)与Fe(8j)原子磁矩.由Fermi面态密度变化分析认为加入Si原子会大大提高化合物居里温度.
关 键 词:(L)APW+lo方法 R(Fe Si)12(R=Y Nd) 磁距 态密度 化合物 电子结构 局域态密度 原子磁矩 磁性 密度泛函理论
分 类 号:TG111[金属学及工艺—物理冶金]
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