在Be和Au中^7Be半衰期差别的测量  

Measurement of Difference of Half-Life of 7Be in Be and Au

作　　者：李成波[1] 刘志毅[1] 王思广[1] 周静[1] 孟秋英[1] 周书华[1] 

机构地区：[1]中国原子能科学研究院核物理研究所,北京102413

出　　处：《原子能科学技术》2005年第5期390-394,共5页Atomic Energy Science and Technology

基　　金：国家自然科学基金资助项目(10305020)

摘　　要：用两套γ谱仪精确测量了注入到天然铍和天然金中的7Be发生电子俘获的半衰期。实验测得,天然铍中7Be的半衰期为53.275(25)d,在天然金中为53.270(19)d。在0.12%的实验测量精度下,未观测到7Be半衰期在这两种材料中的差异。结果表明:注入在不同材料中7Be半衰期的变化不能仅从被注入材料的电子亲合势的差异考虑,还要考虑材料晶格结构的影响。The half-life T1/2 of ^7Be implanted in natural beryllium and natural gold has been measured using two coaxial high-purity germanium detectors to be 53. 275 （25） d and 53. 270（19） d, respectively. No difference in the half-life of ^7Be in the host media beryllium and gold is observed within measurement uncertainty of 0.12%. This result implies that the change of the decay rate of ^7Be implanted in different materials can not be simply expected from the electron affinity difference consideration alone and the lattice structure of the host materials should be taken into account.

关 键 词：电子俘获 半衰期 电子亲合势 晶格结构 

分 类 号：O571.322[理学—粒子物理与原子核物理]