低纯Gd制备Gd_(5)Si_(2)Ge_(2)的结构与磁热性能  

作　　者：张铁邦[1] 陈云贵[1] 付浩[1] 滕保华 唐永柏[1] 涂铭旌[1] 

机构地区：[1]四川大学材料科学与工程学院 [2]Department of Physics,National University of Singapore,Singapore117542

出　　处：《科学通报》2005年第18期2043-2045,共3页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家高技术研究发展计划资助项目(批准号：2002AA324010)．

摘　　要：以低纯度普通商业纯Gd(99%)为原料制备Gd_5Si_2Ge_2合金,研究了低纯Gd_5Si_2Ge_2合金的相组成、磁相变特征和磁热性能.粉末X-射线衍射和磁性测量结果表明,经1200℃,1h退火处理后,低纯Gd_5Si_2Ge_2合金具有Gd_5Si_2Ge_2型主相、在268K存在一级磁晶相变.据磁相变温度附近的磁化曲线计算,低纯Gd_5Si_2Ge_2合金在5T磁场变化下的最大磁熵变为17.55J·Kg^(-1)·K^(-1),具有巨磁热效应.

关 键 词：磁致冷材料 Gd5Si2Ge2 一级相变 磁热性能 Gd5Si2Ge2合金 原料制备 Gd5si2Ge2合金 结构 X-射线衍射 巨磁热效应 

分 类 号：TG132.27[一般工业技术—材料科学与工程]