单端正激变换器设计中应注意的问题  

Low Temperature Characteristics of Power Semiconductor Devices Osaka University Yoshishige Murakami Toshifumi Ise Atsushi Ishigami

作　　者：钟炎平[1] 

机构地区：[1]空军雷达学院

出　　处：《电力电子技术》1996年第2期60-61,共2页Power Electronics

摘　　要：单端正激变换器设计中应注意的问题ＴｈｅＤｅｓｉｇｎｏｆＳｉｎｇｌｅ－ｅｎｄｅｄＰｏｓｉｔｉｖｅＥｘｃｉｔａｔｉｏｎＣｏｎｖｅｒｔｅｒ空军雷达学院钟炎平（武汉４３００１０）单端正激变换器因电路结构简单、成本低廉，在中、小功率场合得到广泛应用。变换器能否...Characteristics of various power semiconductor devices,such as MOSFETs,IGBTs,SCRs and power diodes are discussed in this paper based on experimental and 2 dimensional device simulation results for temperature higher than liquid nitrogen(77K).

关 键 词：变换器 单端正激变换器 设计 

分 类 号：TN624[电子电信—电路与系统]