ZnS∶Er电致发光中SiO_2与ZnS电子加速能力的比较  

Evaluating Acceleration Ability of Electrons of SiO_2 and ZnS in ZnS∶Er Electroluminescence

作　　者：张福俊[1] 徐征[1] 刘玲[1] 孟立建 

机构地区：[1]北京交通大学光电子技术研究所,北京100044 [2]波尔图理工大学工程学院

出　　处：《中国稀土学报》2005年第5期590-593,共4页Journal of the Chinese Society of Rare Earths

基　　金：国家重点基础研究发展计划(2003CB314707);国家自然科学基金(10374001);中国博士后科学基金(2003034324);北京市科技新星计划(2004B10);北京市自然科学基金(2032015);攀登计划(PD270)资助项目

摘　　要：在分层优化结构和固态阴极射线发光中,从电极注入的电子经电子加速层加速后获得更高能量成为过热电子,过热电子碰撞激发发光中心引起发光,其中SiO2在提高过热电子的能量方面有非常重要的作用。ZnS作为电子加速层时,也发现了固态阴极射线发光,但其发光的亮度及稳定性都不及SiO2作为电子加速层的器件。通过比较ZnS∶Er在正弦交流电驱动下的正负半周内的亮度变化,得出ZnS与SiO2的电子加速能力的相对大小。实验结果表明:SiO2的电子加速能力是ZnS的2.18倍。In layered optimization scheme and solid state cathodoluminescence, silicon oxide plays a very important role in obtaining high energy hot electrons to excite luminescent centers or organic luminescent materials. The acceleration ability of electrons of SiO2 and ZnS was compared through the variation of emission intensity based on ZnS：Er phosphor during the reverse of polarity of sinusoidal voltage. The ratio of maximum emission intensity under positive and negative half period is 2.18. This result not only demonstrates that parts of primary electron comes from electrode, but electrons in conduction band of SiO2 can be heated to higher energy than that of ZnS.

关 键 词：电子加速 固态阴极射线发光 稀土 

分 类 号：O482.31[理学—固体物理]