非接触智能卡芯片ESD失效分析  

作　　者：周建锁 

机构地区：[1]北京中电华大电子设计有限责任公司

出　　处：《中国集成电路》2005年第10期86-89,共4页China lntegrated Circuit

基　　金：863计划资助项目(2004AA1Z1070)

摘　　要：非接触智能卡芯片在生产加工过程中不可避免地会产生由于静电放电(ESD)原因导致的失效。收集失效样品并进行分析,并最终确定失效模式,以及对失效点进行定位,这些都对芯片片上ESD保护电路的改进,以及生产加工环境静电防护措施的改进提供科学依据,并最终有益于提高芯片产品质量,以及提升整个生产过程中的成品率。本文对非接触智能卡的ESD失效模式、失效分析手段和失效分析流程进行了分析,并给出了一个具体的分析实例和结果。

关 键 词：ESD保护电路 智能卡芯片 失效分析 生产过程 非接触智能卡 失效模式 静电放电 加工过程 科学依据 

分 类 号：TN409[电子电信—微电子学与固体电子学]