多晶硅工艺在超高频晶体管中的应用  

作　　者：俞诚 王文源 

机构地区：[1]中国华晶电子集团公司

出　　处：《半导体技术》1996年第1期46-49,共4页Semiconductor Technology

摘　　要：试验使用ＬＰＣＶＤ多晶硅薄膜工艺，以掺杂多晶硅发射极结构取代传统的泡发射极Ｔｉ－Ａｌ结构，用于超高频晶体管生产中，改善了器件性能，提高了成品率和可靠性。

关 键 词：多晶硅工艺 发射极结构 超高频晶体管 

分 类 号：TN323.2[电子电信—物理电子学] TN305