Er_2O_3薄膜的电学性质研究  

Electrical Properties of Er_2O_3 Thin Film

作　　者：陈圣[1] 徐润[1] 朱燕艳[1] 方泽波[1] 薛菲[1] 樊永良[1] 蒋最敏[1] 

机构地区：[1]复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433

出　　处：《江西科学》2005年第5期499-501,510,共4页Jiangxi Science

基　　金：国家重点基础研究专项基金(批准号:G2001CB3095;10321003和60425411)资助的课题

摘　　要：Er2O3是一种很有希望的高κ材料。在氧气氛下热蒸发金属铒源,制备了Er2O3的薄膜,随后在氧气氛下对它进行了退火。通过对其C-V及I-V特性的测试,认为该材料的电学特性优秀,应该进行进一步的研究。Erbia （ Er2O3 ） iS on Si （100） by evaporating ambience. From the results good. So we think this kind a hopeful high - κ material. We have realized thin Er2O3 filmg growth metallic Er source in oxygen ambience. Then we annealed it in oxygen of C- V and I -V test, we can see the film＇s electrical properties are of material should be studied further.

关 键 词：Er2O3 高κC—V I—V 

分 类 号：O484.42[理学—固体物理]