单相六温区无变压器管式熔炼炉的研制  

作　　者：李将禄[1] 郭立群[2] 张伟光[3] 冀士学[3] 荣剑英[4] 

机构地区：[1]哈尔滨师范大学物理系近代物理实验教研室 [2]哈尔滨师范大学物理系普通物理实验教研室 [3]哈尔滨师范大学物理系电子线路教研室 [4]哈尔滨师范大学物理系量子物理教研室

出　　处：《黑龙江电子技术》1996年第1期1-3,共3页

摘　　要：本文介绍了生产半导体致冷材料用的单相六温区无变压器管式熔炼炉的结构,恒温控制原理及性能特点,并与单温区、三温区熔炼炉性能进行了比较。这种炉控温能力强,成本低,节约能源,重量轻。

关 键 词：双向可控硅 恒温控制 半导体致冷材料 

分 类 号：TN342.3[电子电信—物理电子学] TN304.051