大功率CO_2脉冲激光辐照掺锑、铝的研究  

作　　者：陈第虎[1] 魏爱香[1] 范安辅[1] 钟涛[1] 

机构地区：[1]中山大学物理系,四川大学物理系

出　　处：《半导体技术》1996年第2期44-47,共4页Semiconductor Technology

摘　　要：采用电子束放电控制的ＣＯ２脉冲激光辐照单晶硅片掺入杂质锑、铝获得成功，并制成大面积ＰＮ结（Φ２０ｍｍ），发现了一种适合大功率ＣＯ２脉冲激光器应用于半导体掺杂新方法。通过卢瑟福背散射、阳极氧化等方法的研究，证明ＣＯ２脉冲激光辐照在硅中掺杂形成的ＰＮ结是浅突变结，结深约为０．２～０．７μｍ。对硅片预热温度、激光重复脉冲次数等工艺条件进行了研究，并从理论上进行了掺杂机理的分析。

关 键 词：脉冲激光辐照 PN结 激光诱导 掺杂 二氧化碳 锑 

分 类 号：TN305.3[电子电信—物理电子学]