阴极溶出伏安法测定痕量硒(Ⅳ)  

Cathodic Stripping Voltammetic Method for the Determination of Trace Selenium (Ⅳ)

作　　者：臧树良[1] 王歆睿[1] 铁梅[1] 孙铁彪[1] 田冬梅[1] 邓桂春[1] 

机构地区：[1]辽宁大学化学与工程学院,沈阳110036

出　　处：《辽宁大学学报（自然科学版）》2005年第4期289-292,共4页Journal of Liaoning University：Natural Sciences Edition

摘　　要：采用银基汞膜电极为工作电极,研究了硒(Ⅳ)在0.10 mol/L HClO4与1 mg/L Cu(Ⅱ)离子的电解液中,以硫氰酸根离子为增敏剂的阴极溶出行为,硒浓度在5～30 μg/L范围内与其峰电流呈良好的线性关系,并研究了铁(Ⅲ)、铅(Ⅱ)、锌(Ⅱ)、镉(Ⅱ)、硫(Ⅱ)碲(Ⅳ)等离子对测定硒的干扰问题.A squarewave cathodic stripping voltammetic method for the determination of Se（Ⅳ） in 0.1 mmol,/L HClO4,1 mg/L Cu（ Ⅱ ） and thiocyanate- containing electrolyte by using the thin -film mercury on silver electrode. The currents of peaks have a good liner relationship with concentration of Se（ Ⅳ ） in the rang of 5 -30 μg/L. The influence of zinc（ Ⅱ ） ,iron（ Ⅲ ） ,lead（ Ⅱ ） on the determination of Se（Ⅳ） has been studied.

关 键 词：阴极溶出伏安法 硒(Ⅳ) 汞膜电极 

分 类 号：O657.1[理学—分析化学]