A Wavelength Tunable DBR Laser Integrated with an Electro-Absorption Modulator by a Combined Method of SAG and QWI  

基于SAG和QWI结合技术的电吸收调制器与可调谐DBR激光器的单片集成(英文)

作　　者：张靖[1] 李宝霞[1] 赵玲娟[1] 王保军[1] 周帆[1] 朱洪亮[1] 边静[1] 王圩[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所光电子技术国家研究中心,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第11期2053-2057,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划(批准号:G20000683-1);国家高技术研究发展规划(批准号:2001AA312050);国家自然科学基金(批准号:90101023)资助项目~~

摘　　要：We report a wavelength tunable electro-absorption modulated DBR laser based on a combined method of SAG and QWI. The threshold current is 37mA and the output power at 100mA gain current is 3.5mW. When coupled to a single-mode fiber with a coupling efficiency of 15% ,more than a 20dB extinction ratio is observed over the change of EAM bias from 0 to -2V. The 4.4nm continuous wavelength tuning range covers 6 channels on a 100GHz grid for WDM telecommunications.报道了基于选择区域生长和量子阱混杂结合技术的电吸收调制器与可调谐DBR激光器的单片集成.集成器件显示出了良好的静态特性:阈值电流为37 mA;100 mA激光器增益区偏置电流下,直流输出功率为3·5 mW;当使用单模光纤耦合(耦合效率15 %) ,调制器偏压在0 ^-2V之间时,静态消光比大于20dB;波长调谐范围为4·4nm,覆盖了6个100GHz间隔的WDM信道.

关 键 词：tunable lasers distributed Bragg reflector lasers electroabsorption modulator quantum-well intermi-xing selective area growth 

分 类 号：TN248[电子电信—物理电子学]