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机构地区:[1]复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海200433
出 处:《Journal of Semiconductors》2005年第11期2182-2190,共9页半导体学报(英文版)
基 金:上海市科学技术委员会(批准号:037062019);上海市应用材料研究与发展基金(批准号:0425)资助项目~~
摘 要:为了验证阶跃可变电容压控振荡器调谐特性理论分析的正确性,提出了一种采用开关阶跃电容的新型压控振荡器电路,该压控振荡器电路采用0·25μm1P5MCMOS工艺实现.一种新型开关阶跃电容实现了频率调谐功能,该电容的调谐电容是传统反型MOS管可变电容的146%.在1/f3区域,差分调谐振荡器的相位噪声比单端调谐振荡器低7dB.在载波频率偏差10kHz,100kHz和1MHz处测得差分调谐时的相位噪声分别是-83,-107和-130dBc/Hz,功耗为8·6mW.A novel LC oscillator differentially tuned by switched step capacitors, which is implemented in a CMOS 0.25μm 1P4M CMOS process,is proposed to verify our theoretical analysis of tuning characteristics. The tuning capacitance of the proposed switched step capacitors is 146 % of the conventional inversion-MOS varactors'. In the 1/f^3 region, the novel differentially tuned topology has 7dB phase noise reduction compared to the single-ended tuned topology. The implemented VCO at 1. 013GHz has a phase noise of -83, - 107, and - 130dBc/Hz,at a 10kHz, 100kHz, and 1MHz offset, respectively. Power consumption is 8.6roW.
关 键 词:阶跃可变电容 MOS管可变电容 开关阶跃电容 电感电容压控振荡器 振荡调谐曲线 周期计算技术 EEACC:1230B
分 类 号:TN752[电子电信—电路与系统]
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