一种新型的CMOS温度传感器  

A New Type of CMOS Temperature Sensor

作　　者：张洵[1] 王鹏[1] 靳东明[1] 

机构地区：[1]清华大学微电子学研究所,北京100084

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第11期2202-2207,共6页半导体学报（英文版）

摘　　要：提出了一种采用标准CMOS工艺制造的全CMOS电路结构温度传感器的理论及其电路设计．采用CSMC0．6μm的数模混合工艺仿真，结果表明该传感器在-40～125℃的温度范围内，温度灵敏度为-1·15μA／℃·芯片实测，温度灵敏度为-0．99μA／℃．5V供电时，静态功耗为1．5mW，芯片面积为0．025mm^2．该传感器的特性表明它非常适用于高容量的集成微系统，在汽车电子、石油采集、生物医学等领域有着广阔的应用前景．Theory and design of compatible wide range smart temperature sensors in standard CMOS technology is presented. The simulated temperature sensitivity using a CSMC 0.6μm mixed-signal CMOS process is -1. 15μA/℃ （over the temperature range of -40-125℃） and the measured is -0.99μA/℃. The power dissipation of the sensor is 1. 5mW at a 5V voltage supply,and the chip area is 0. 025mm^2. The characteristics of this sensor make it especially suitable for low-cost high-volume integrated microsystems over a wide range of fields, such as automotive, oil prospecting, biomedical, and consumer.

关 键 词：集成电路 温度传感器 温度系数 

分 类 号：TP212.1[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]