全硅光波导开关中的热光效应光交换  

作　　者：刘育梁[1] 刘恩科[2] 罗晋生[2] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室,北京100083 [2]西安交通大学电子工程系,西安710049

出　　处：《科学通报》1996年第6期575-576,共2页Chinese Science Bulletin

摘　　要：硅材料在微电子学领域获得了巨大的成功。近年来,将这种成功拓展到光电子学领域已成为众多研究人员追求的目标。基于硅材料及其工艺技术的光电子器件的研究日益增多。在硅光波导开关及其阵列方面,已报道了许多利用自由载流子等离子体色散效应来实现光路交换的研究。这类器件利用pn结向波导局部注入载流子,通过降低这一区域的折射率来实现光路交换。由于需要高密度的注入,在pn结附近的电功耗很高,往往会引起器件局部温升。Nazarova的研究表明,与温升相关的热光效应会引起硅材料折射率的增加。因此,这种伴生的热光效应极可能抵消自由载流子等离子体色散效应,从而改变器件的正常工作特性。我们在非对称全内反射型2×2硅光开关中。

关 键 词：硅光波导开关 热光效应 光路交换 光电子器件 

分 类 号：TN15[电子电信—物理电子学]