高压下石榴石Gd_3In_2Ga_3O_(12)的合成  

作　　者：马贤锋[1] 周艳平[1] 阎学伟[1] 

机构地区：[1]中国科学院长春应用化学研究所,长春130022

出　　处：《科学通报》1996年第5期418-421,共4页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家自然科学重点基金资助项目

摘　　要：Gd_3Ga_5O_(12)稀土材料具有Ga^(3+)离子易于被其它离子部分取代的特点.Gd_3Sc_2Ga_3O_(12),Gd_3Lu_2Ga_3O_(12)和Gd_3In_2Ga_3O_(12)作为膜磁光材料YIG和Y_(3-x)Bi_xFe_5O_(12)的衬底引起关注. 这些材料可以通过固相反应、浮熔法、提拉法合成,但它们的高压合成未见报道.本文首次利用高温高压方法实现了Gd_3In_2Ga_3O_(12)的合成,并对其合成区进行了研究.

关 键 词：高压合成 Gd3In2Ga3O12 石榴石 合成 

分 类 号：TQ16[化学工程—高温制品工业]