电子密度对瞬态电子碰撞激发类氖锗19.6 nm x光激光增益的影响  

作　　者：张虎[1] 彭玉峰[1] 孙金锋[1] 

机构地区：[1]河南师范大学物理与信息工程学院,河南新乡453007

出　　处：《河南师范大学学报（自然科学版）》2005年第4期186-186,共1页Journal of Henan Normal University(Natural Science Edition)

基　　金：河南省自然科学基金资助(011050800)

关 键 词：瞬态电子碰撞激发 类氖锗 X光激光 增益 

分 类 号：TN24[电子电信—物理电子学]