硼硅对BST薄膜结构和性能的影响  被引量:1

Effects of(B,Si)Doping on Structure and Properties of BST Thin Films

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作  者:丁士华[1] 杨晓静[1] 姚熹[1] 张良莹[1] 

机构地区:[1]同济大学功能材料研究所,上海200092

出  处:《电子元件与材料》2005年第12期32-34,共3页Electronic Components And Materials

基  金:国家重点基础研究发展计划资助项目(2002CB613302;2002CB613304);国家高新技术发展计划资助项目(2001AA325110);上海市重点学科资助项目

摘  要:用sol-gel法制备0.5mol/L钛酸锶钡(Ba0.7Sr0.3TiO3)前驱溶液,并在其中加入硼、硅成功地制备了室温下具有优良铁电性质的BSTS薄膜。XRD及DSC分析显示,BSTS薄膜呈现钙钛矿结构。测试结果表明,随着硼、硅的加入量增加,其εr和tgδ明显降低。当硼、硅的加入量小于10mol/L时,薄膜的漏电流比没有加入硼、硅的BST薄膜的低,当硼、硅的加入量大于15mol/L时,薄膜的漏电流比没有加入硼、硅的BST薄膜的高。The dielectrical properties (B, Si) doped barium strontium titanate (BSTS) thin films were investigated. Thin films of BSTS were fabricated on Pt/Ti/SiO2/Si substrate by spin coating. The multicomponent precursor solutions were prepared using sol-gel method. The εr, tgδ of a 400 nm BSTS thin film fired at 700℃ decreased with the increasing content of tributyl borate (B) and TEOS (Si). The leakage current of the BST films decreased as the content of (B, Si) dopant was low (≤10 mol/L), while it increased as the content of (B, Si) dopant was high (≥ 15 mol/L).

关 键 词:无机非金属材料 BSTS薄膜 SOL-GEL法 硼硅掺杂 介电常数 介质损耗 

分 类 号:TN384[电子电信—物理电子学]

 

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