提高高频离子源性能的研究  

The study of the improving the quality RF ion source

作　　者：孙振武[1] 李涛[1] 郑世全[1] 姜胜南[1] 李玉晓[1] 王建勇[2] 刘柱华[3] 霍裕平[1] 

机构地区：[1]郑州大学物理工程学院,河南郑州450052 [2]北京大学重离子研究所,北京100871 [3]中国科学院高能物理研究所,北京100080

出　　处：《安徽大学学报（自然科学版）》2005年第6期61-64,共4页Journal of Anhui University(Natural Science Edition)

摘　　要：研制了一台4MV静电加速器用高频离子源;测试并分析了振荡器板压、离子源气压和引出电压对离子束品质的影响;在575V板压、7.7×10-4Pa气压、1.6kV引出电压和21kV聚焦电压的状态下,得到了束流为169μA、质子比为88%的稳定离子束.A RF ion source for a 4MeV electrostatic accelerator is prepared. The influence of plate voltage of the oscillator, gas pressure and extraction voltage on the quality of ion beam is determined and analysed. A stable ion beam, which intensity is 169μA and the proton ratio is 88%, is obtained under the condition of the plate voltage of 575 V, the gas pressure of 7.7 × 10^-4pa, the extraction voltage of 1.6kV and the focusing voltage of 21kV.

关 键 词：静电加速器 离子束 离子源 束流 振荡器 

分 类 号：TL503.4[核科学技术—核技术及应用]