短波长谐振腔发光二极管外延及性能研究  

Epitaxy and Characterization of Short Wavelength Resonant Cavity LEDs

作　　者：尉吉勇[1] 黄柏标[1] 秦晓燕[1] 张晓阳[1] 张琦[1] 姚书山[1] 朱宝富[1] 李宪林[1] 

机构地区：[1]山东大学晶体所晶体材料国家重点实验室,山东济南250100

出　　处：《光电子．激光》2005年第11期1304-1306,1311,共4页Journal of Optoelectronics·Laser

摘　　要：利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长650 nm谐振腔半导体发光二极管(RCLED),利用光致发光(PL)谱和电致发光(EL)谱研究了其发光特性。由于上、下布拉格反射镜的影响,导致其PL强度只有普通LED的1/20;EL谱纯度有了很大提高,半峰宽(FWHM)由普通LED的20 nm降到4 nm以下。最好的器件测试结果表明,可以在60 mA、2.71 V下,实现1.45 mW以上发射功率,最窄FWHM在3 nm。Resonant oavity light emitting diodes（RE;LED） of 650 nm wavelength was epitaxied by metal organic chemical vapor deposition（MQOVD）,the emission property of photoluminescence（PL） and electro-luminesence （EL） was characterized. The PL intensity of ROLED is about 1/20 of common LED：the EL spectral purity is enhanced,EL spectral full width of half maximum（FWHM） is decreased from common LED-s 20 nm to RCLED＇s 3-4 nm. The device characterization show that we can obtain above 1. 45 mW EL emission Dower at 69 mA,2.71 V.

关 键 词：谐振腔半导体发光二极管(RCLED) 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 光致发光(PL) 电致发光(EL) 

分 类 号：TN312.8[电子电信—物理电子学]