InGaAlP外延片的微分析  

Microanalysis of InGaAlP Epitaxy Wafer

作　　者：樊华[1] 曹永明[1] 曾伟[1] 李越生[1] 

机构地区：[1]复旦大学材料科学系国家微分析中心,上海200433

出　　处：《半导体技术》2005年第12期32-34,共3页Semiconductor Technology

摘　　要：介绍了电子显微镜和二次离子质谱仪(SIMS)两种当前主要的微分析工具在四元InGaAlP发光二极管(LED)外延片分析过程中的应用,讨论了它们各自的适用领域,指出两者有机的结合可以得到比较全面的分析结果,为工艺监控和工艺改进提供了参考。Applications of electron microscopy and secondary ion mass spectroscopy （SIMS） in analyzing the InGaA1P epitaxy wafer of LED were introduced. The application areas were discussed. A comprehensive result in the epitaxy wafer microanalysis by combining the two methods was obtained, and references to the process monitor and control are given.

关 键 词：电子显微镜 二次离子质谱 发光二极管 外延片 

分 类 号：TN304.82[电子电信—物理电子学]