汽车硅整流二极管△U_F的探讨  

Discussion on △U_F of Automobile Silicon Rectifier Diode

作　　者：樊晓玲 周立敬 樊守庭 

机构地区：[1]徐州整流汽车元件有限公司,江苏徐州221009 [2]浙江博星电子有限公司,浙江缙云321400

出　　处：《汽车电器》2005年第12期9-10,共2页Auto Electric Parts

摘　　要：介绍汽车硅整流二极管△UF的由来,详细阐述实验中影响△UF值的各项因素及降低△UF的方法。The origin of △UF of automobile silicon rectifier diode is introduced here. The factors to affect △UF. in experiments and the way to reduce△UF are also expounded,

关 键 词：硅整流二极管 △UF 参数 

分 类 号：TN111[电子电信—物理电子学]