微小孔径激光器的工艺及器件功率和寿命特性分析  

Fabrication process and power and lifetime characteristics of very-small-aperture laser

作　　者：宋国峰[1] 甘巧强[1] 瞿欣[2] 方培源[2] 高建霞[1] 曹青[1] 徐军[3] 康香宁[3] 徐云[1] 钟源[1] 杨国华[1] 陈良惠[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,北京100083 [2]复旦大学材料科学系,上海200433 [3]北京大学物理系,北京100871

出　　处：《物理学报》2005年第12期5609-5613,共5页Acta Physica Sinica

基　　金：国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA313060)资助的课题.~~

摘　　要：在650nm波长半导体激光器的基础上制造出了高输出功率的微小孔径激光器.驱动电流为25mA时,输出功率达到0.4mW,最大功率可达1mW以上.叙述了微小孔径激光器的特殊的制造工艺,并分析了器件可能的失效机理.High output power very-small-aperture laser has been created on 650 nm edge emitting laser diodes. The far-field output power is 0.4 mW at the 25 mA driving current, and the highest output power exceeds 1 mW. The special fabrication process is described and the failure mechanism leading to the short lifetime of the devices is discussed.

关 键 词：近场光学 微小孔径激光器 半导体激光器 失效分析 

分 类 号：TN248[电子电信—物理电子学]