HgCdTe阳极硫化膜分析  

Analysis of HeCdTe Anodic Sulfide Film

作　　者：史衍丽[1] 曾戈虹[1] 

机构地区：[1]昆明物理研究所

出　　处：《红外技术》1996年第5期5-7,共3页Infrared Technology

摘　　要：采用含水硫化的方法对ｐ型ＨｇＣｄＴｅ材料进行了表面钝化。ＸＰＳ分析结果表明，Ｈｇ（０．７３４）Ｃｄ（０．２６６）Ｔｅ表面形成了ＣｄＳ薄膜，膜层里含有少量的Ｔｅ和Ｈｇ，不含氧。The surface of p-type of HgCdTe is passivated by anodic sulfidization in sulfide aqueoussolutions.The results of X-ray photoelectron spectroscopy analsis analysis show that cadmium sulfide filmwith a little amount of Hg, Te is formed HgCdTe surface and free of oxygen.

关 键 词：HGCDTE 阳极硫化 X射线 光电子能谱 

分 类 号：TN214[电子电信—物理电子学]