自旋晶体管的最新研究进展  

New Research on Spin Transistor

作　　者：钟智勇[1] 刘爽[2] 唐晓莉[1] 石玉[1] 刘颖力[1] 张怀武[1] 

机构地区：[1]电子科技大学微电子与固体电子学院,成都610054 [2]电子科技大学光电信息学院,成都610054

出　　处：《微纳电子技术》2005年第12期546-553,共8页Micronanoelectronic Technology

基　　金：国家自然科学基金资助项目(90306015);四川省青年学术带头人培养基金资助项目(04ZQ026-003)

摘　　要：自旋晶体管是指利用电子自旋自由度构建的在结构上类似于传统半导体晶体管的三端自旋器件。对基于自旋劈裂的磁双极型自旋晶体管、基于热电子输运的自旋晶体管和基于Rashba效应的自旋晶体管的最新研究动态进行了评述,并对其发展前景做了展望。Spin transistor is a three-terminal spin electronic device, which is similar as conventional semiconductor transistor. The spin transistors include magnetic bipolar spin transistor based on spin-splitting effect, spin transistor based on the spin-dependent transport of hot electrons and spin transistor based on Rashba effects. The new research and potential development of various types of spin transistors are reviewed.

关 键 词：自旋电子学 自旋晶体管 自旋劈裂 热电子 Rashba效应 

分 类 号：O48[理学—固体物理] TN4[理学—物理]