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作 者:董国义[1] 窦军红 葛世艳[1] 林琳[1] 郑一博[1] 韦志仁[1]
机构地区:[1]河北大学物理科学与技术学院,河北保定071002
出 处:《光谱学与光谱分析》2005年第11期1753-1755,共3页Spectroscopy and Spectral Analysis
基 金:国家自然科学基金(10354001);河北省自然科学基金(E2004000;E20004000117)资助项目
摘 要:采用微波吸收法,测量了ZnO及ZnO:Zn荧光粉末材料受到超短激光脉冲激发后其导带电子的衰减过程,并测量了室温下荧光材料的吸收光谱和发射光谱。发现ZnO材料的光电子寿命为64 ns,而ZnO:Zn荧光材料的的光电子寿命为401 ns。分析认为ZnO:Zn寿命的延长是由于材料中缺陷结构的增加导致电子在导带上的弛豫时间变长。The process of decay of photo-generated electrons in the conduction band of ZnO: Zn and ZnO powder materials after excitation with a ultra-short pulse laser has been investigated in this paper by microwave absorption method. The excitation and emission spectra of ZnO: Zn were measured at room temperature. It was measured that the lifetime of photoelectrons in the materials ZnO and ZnO:Zn are 64 ns and 336 ns respectively. It is believed that the increase of the lifetime in the material of ZnO:Zn is due to the prolong of relaxation time caused by the defect structure in the material.
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