用吸收差谱研究电子俘获材料的光激励发光  

Study of OSL Property of Electron Trapping Material with Differential Absorption Spectra

作　　者：孙力[1] 王永生[1] 何志毅[1] 孟宪国[1] 

机构地区：[1]北京交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料开放实验室,北京100044

出　　处：《光谱学与光谱分析》2005年第11期1749-1752,共4页Spectroscopy and Spectral Analysis

基　　金：国家自然科学基金(10274001);北京交通大学论文基金资助项目

摘　　要：以SrS:Eu,Sm为例说明可以利用电子俘获材料在光激发前后的吸收谱的差别来获取电子俘获材料光激励发光的信息。电子俘获材料在激发后的吸收光谱同时包含了不同陷阱(杂质)对光激励的吸收情况。因此激发前后的吸收光谱差(吸收差谱)除了能给出与光激励谱相同的信息外,还包含空穴陷阱的激励,光存储总量等信息,因此有助于更全面地了解材料的光激励发光过程。A method, which makes use of difference of absorption in different stages of excitation process, is introduced to get more information about optical stimulated luminescence （OSL） properties of electron trapping materials （ETM）. Absorption spectra of excited ETM contain all absorption of various traps （defects） together. So, the difference between absorption spectra before and after excitation （differential absorption） not only acts as the same as stimulation spectra, but also provides more information, such as holes stimulation, total volume ofoptical storage, etc. This method is helpful in studying OSL properties.

关 键 词：电子俘获材料 吸收光谱 光激励发光 

分 类 号：TB381[一般工业技术—材料科学与工程]