基于EIT技术颅内电阻抗特性分析  

The Elctrical Properties of Realistic Head Model Based on Eletrical Impedance Tomography

作　　者：徐桂芝[1] 王明时[1] 杨庆新[2] 李颖[2] 颜威利[2] 

机构地区：[1]天津大学精密仪器与光电子工程学院,天津310027 [2]河北工业大学生物医学工程系,天津300130

出　　处：《中国生物医学工程学报》2005年第6期705-708,共4页Chinese Journal of Biomedical Engineering

基　　金：国家自然科学基金项目(30170308);河北省自然科学基金项目(E2004000054)资助

摘　　要：电阻抗断层成像技术(EIT)是一种基于生物组织电学特性的成像技术。本研究基于EIT技术对二维四层同心圆头模型和基于MRI图片构造的脑电二维真实头模型的电阻抗特性进行了分析,给出了头部组织电导率参数变化对求解区域场内及头皮表面电位分布的影响,得出了有实际意义的结论,为实现颅内EIT逆问题求解和阻抗成像及脑内电特性的深入研究奠定了基础。Electrical impedance tomograghy （EIT） is relatively new imaging modality based on electrical property of human or animal tissues. This paper presented the electrical properties of four-shell concentric circular head model and 2D realistic head model which have been reconstructed from the MRI head picture based on EIT technique. This work were expected to provide the basis of resolving EIT inverse problem and reconstructing image of head electrical conductivity, and is of significance for the further research on electrical property of head.

关 键 词：电阻抗断层技术 真实头模型 脑电特性分析 

分 类 号：TM152[电气工程—电工理论与新技术]