碲镉汞合金组分分布的描述方法  被引量:3

The Method used for Description of HgCdTe Compsition Distribution

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作  者:蓝慕杰[1] 赵显峰[1] 周士仁 

机构地区:[1]哈尔滨工业大学微电子技术教研室

出  处:《激光与红外》1996年第1期57-58,共2页Laser & Infrared

摘  要:介绍了一种利用EDX和自动数据处理程序相结合,用于HgCdTe晶体组分分布研究的描述方法。实际使用结果表明,该方法满足HgCdTe晶体组分分布研究的要求,具有快速直观的特点,对指导工艺调整有重要意义。该法可用于其它半导体材料的成分分析。

关 键 词:HGCDTE 组分分析 合金 红外探测 

分 类 号:TN215[电子电信—物理电子学] TG132[一般工业技术—材料科学与工程]

 

参考文献:

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