用三支路法分析电容型绝缘的tgδ回升问题  

作　　者：刘炳尧[1] 

机构地区：[1]湖南大学,长沙410082

出　　处：《变压器》1996年第4期25-28,共4页Transformer

摘　　要：提出能区分绝缘电导损耗和极化损耗的三支路法,从理论和实际两方面研究了多层串联绝缘的介质损耗率正切,推导了绝缘的综合 tgδ表达式,并对实际产品 tgδ变化原因和回升现象进行了讨论。

关 键 词：电容型 绝缘 介质损耗角正切 三支路法 电气设备 

分 类 号：TM210.13[一般工业技术—材料科学与工程]