铊系超导体中铁掺杂诱导的氧缺陷研究  

作　　者：李阳[1] 曹国辉[1] 马庆珠[1] 熊小涛[1] 马如璋[1] 陈宁[1] 王耘波[1] 郭应焕 张晓俊[3] 王劲松[3] 焦正宽[3] 彭获田 周思海[4] 

机构地区：[1]北京科技大学材料物理系 [2]中国科学院核分析技术开放实验室,北京100081 [3]浙江大学物理系,杭州310027 [4]长沙矿冶研究院,长沙410012

出　　处：《中国科学（E辑）》1996年第1期7-12,共6页Science in China(Series E)

基　　金：国家超导技术联合研究开发中心资助项目

摘　　要：利用Hall系数测量、热重分析和M(?)ssbauer谱等多种实验手段并结合有效价键模型计算,研究了(Tl_(0.5)Pb_(0.5))(Sr_(0.8)Ba_(0.2))_2Ca_2(Cu_(1-x)Fe_3)_3O_(9+v)超导体中由于铁掺杂所诱导的额外氧缺陷对载流子浓度和微结构的影响.在低浓度掺杂水平(x=0～0.05)上,铁掺杂样品的超导转变温度与载流子浓度有非常明显的对应关系,零电阻温度T_∞随铁掺杂量线性降低.Hall系数测量结果也表明Hall载流子浓度随铁含量x的增加也呈线性下降趋势.热重分析(TG)结果表明化合价较高的Fe^(3+)离子替代Cu^(2+)离子后,将有可能诱导额外氧进入晶格而形成额外氧缺陷.在电荷转移模型基础上并借助于有效价键的理论计算,可以得到载流子浓度的降低来源于额外氧缺陷对载流子的强局域化的束缚作用.同时额外氧所引起的Cu-O面的畸变也使得超导转变温度降低.还分析讨论了额外氧缺陷的局域结构,包括氧的占位和Fe,O的位移关系.

关 键 词：掺杂效应 铊系 超导体 铁 氧 缺陷 超导电性 

分 类 号：O511.2[理学—低温物理]