1.5μm波段外腔半导体激光器稳频技术研究  

Study on External Cavity Laser Diode of 1.5μm Band

作　　者：金杰[1] 马翔[1] 

机构地区：[1]天津大学电子信息工程学院,天津300072

出　　处：《半导体光电》2005年第6期566-569,共4页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：天津市自然科学基金资助项目(033800211)

摘　　要：1.5μm波段外腔半导体激光器的频率稳定性对大容量、密集波分复用系统的快速发展有着很大的影响。对几种主流的外腔结构和稳频技术进行了分析,论述了它们各自的特点及未来发展趋势。The frequency-stabilized external cavity laser diode in 1.5 um region is vital to high capacity dense wavelength division multiplexing.. The main structures of external cavity and the technologies of frequency stabilization are analyzed, their characteristics and future development are introduced.

关 键 词：稳频 光栅外腔半导体激光器 分子饱和吸收 F-P干涉仪 

分 类 号：TN365[电子电信—物理电子学]