日立与瑞萨科技发布低功耗MOS相位转换存储器单元  

出　　处：《电子产品世界》2006年第01X期20-20,共1页Electronic Engineering & Product World

摘　　要：日立有限公司（Hitachi）与瑞萨科技公司（Renesas Technology）发布低功耗相位转换存储器单元的成功原型，这种非易失半导体存储单元可以在电源电压为1．5V和电流低至100μA的条件下进行编程，与采用以前技术的产品相比，每个单元的功耗可降低50％。此外，相对于现有的非易失存储器，新的相位转换单元在高速读写能力、编程耐久性、小尺寸和高水平集成方面均更为优异，可在下一代微控制器中为诸如信息设备、家用电器，以及车载设备和控制系统等嵌入式应用的片上编程和数据存储提供优秀的解决方案。

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分 类 号：TN492[电子电信—微电子学与固体电子学] TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]